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本文报道了一种工作在16.0~17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内. 相似文献
2.
C波段GaAs单片6位移相器 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了一种采用单片集成方式实现的C波段6位数字移相器的设计技术和研制结果。在HP-8510网络分析仪上的测试结果表明:在5.2 ̄5.8GHz频段,移相器插损为7.5±0.5dB,输入/输出驻波比好于1.5,均方极相移精度在5.5°以内。 相似文献
3.
DC-40GHzMMIC开关叶禹康,俞土法,伍祥冰(南京电子器件研究所,210016)提要*用微波单片集成电路(MMIC)技术设计制作了高隔离度、超快速DC-40GHzMMIC开关(SPST)。开关采用串联、并联单元MESFET兼用的电路结构。芯片尺... 相似文献
4.
设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
5.
叙述了一种采用单片集成方式实现的C波段6位数字移相器的设计技术和研制结果。在HP-8510网络分析仪上的测试结果表明:在5.2~5.8GHz频段,移相器插损为7.5±0.5dB,输入/输出驻波比好于1.5,均方根相移精度在5.5°以内。 相似文献
6.
<正>自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,逐渐取代了采用PIN管作为控制器件的移相器. 相似文献
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