硅中氧、碳的二次离子质谱(SIMS)分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法,氧、碳的的检测限分别可达到6.0e16atoms/cm~3、2.0e16atoms/cm~3。     

硅中磷的SIMS分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中磷含量的SIMS定量分析方法进行研究。并通过提高质量分辨率的方法降低背景,使磷的检测限达到1.0×10~(14) atoms/cm~3,进而成为高纯硅样品中磷杂质含量的最可行的检测手段。     

SiO2钝化膜中钠离子的二次离子质谱分析

采用二次离子质谱分析手段,检测半导体晶片SiO2钝化膜中钠离子的浓度分布,采用标样法,计算得出相对灵敏度因子,给出浓度随深度的定量测试结果 ,结果表明,该方法检测灵敏度较高,既给出钠离子在钝化膜中的分布,也可以得到面密度,并研究了钠离子的分布特点。     

砷化镓中铜的SIMS定量分析

砷化镓中铜的SIMS定量分析是有效控制砷化镓中杂质铜的浓度的重要手段,本文介绍用相对灵敏度因子定量分析砷化镓中铜的方法。     

砷化镓抛光晶片表面沾污的二次离子质谱分析

在砷化镓工艺过程中,很多失效问题与表面的沾污有关,二次离子质谱分析是表面分析的有力手段,本文提供一种用二次离子质谱分析检测砷化镓表面钠、钾和铝的沾污水平的测试方法。     

硅中氮的二次离子质谱(SIMS)定量分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氮含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过运用改变一次束扫描面积的方法,氮的检测限可达到2.0×10~(14)atoms/cm~3,比常规测试能力提高一个量级。     

Si3N4钝化层质量分析研究

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.