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采用“双生长室”氯化物汽相输运外延技术已研制出异质结InGaAsP/InP。两个独立的生长室,其中一个用来生长InGaAsP,另一个用来生长InP,而它们都连接于一个出口端。衬底是在几秒钟内机械地从一个室传输到另一个室,因而在异质界面不会出现互相沾污的生长,获得了陡峭度小于50 的晶格匹配良好的异质结构界面。用这种技术制备的InGaAsP/InP DH激光器,在室温下CW溅射,发现其阈值相当于液相外延制备的激光器。 相似文献
2.
本文用双室Ga/AsCl_3/H_2开管系统实现了各种等电子掺杂浓度的GaAs汽相外延,并首次对此进行了较为详细的动力学理论和实验研究。对少量的In在GaAs外延层中的行为及其机理进行了初步探讨,提出了等电子掺杂使位错线附近In杂质凝聚,导致外延层中位错密度减小的观点,通过等电子掺杂技术,与相同工艺条件下的普通外延层相比,其迁移率提高60％,位错密度下降1/2,杂质含量和深能级信号明显减少。以此为缓冲层,制备的Si/n~-/n/n~+多层结构GaAs材料,用于高频低噪声场效应器件,夹断干脆,饱和特性好,单位栅宽跨导提高20％。 相似文献
3.
用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲层(n~-)的室温迁移率在6000厘米~2/伏·秒左右,有源层的室温迁移率在4500厘米~2/伏·秒左右。用这种结构的外延片制备的 GaAs 低噪声场效应晶体管,在6千兆赫下,噪声系数(N_F)可达2.7分贝,增益可达9分贝;在12千兆赫下,N_F 为3.68分贝,增益为4.8分贝;制备的功率器件,在6千兆赫下输出功率可达550毫瓦,增益4分贝左右。使用这种系统还试验生长了欧姆接触层(n~+)-有源层(n)-缓冲层(n~-)结构的外延材料,在器件制备上已初步看到 n~+-n-n~-结构比 n-n~-结构有更好的效果。 相似文献
4.
讨论了通过汽相外延氯化物工艺制备适用于X波段FET的GaAs外延层。其结构包括高阻缓冲层和n~ 接触层。严格控制三氯化砷的克分子分数以及使用固体源已制得特性最好的缓冲层。8千兆赫下,微波器件的典型噪声系数≤2.5分贝,最好的是1.4分贝。同时,最大增益为11.1分贝。叙述了在选择好的衬底、源和外延材料方面目前所考虑的各种常规表征方法。并包括对一个简单的两端器件所作的光电导测量,它给出了因陷阱态产生光敏性的那些缓冲层的品质因素。比较了不同材料结构中观察到的各种类型的光敏性。 相似文献
5.
业己证明,在GaAs或InP上生长的应变等电子掺杂缓冲层可以使外延片的位错密度激烈地降到原来数值的1/20以下。由于同种因素,带边的光致发光效率也相应地增强。与未生长应变等电子掺杂缓冲层比较,用深能级瞬态能谱(DLTS)测量实际上未检测到深能级。用这种外延片制备的光电和电子器件与用常规外延片制备的相比较,发现器件性能有很大改善。 相似文献
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