高效硅基异质结太阳能电池的模拟

a-Si:H/c-Si异质结太阳能电池的基本参数,如层厚度、掺杂浓度、a-Si:H/c-Si界面缺陷、功函数等是影响载流子传输特性和电池效率的关键因素。在本文中,利用AFORS-HET程序,研究了这些参数与a-Si:H/c-Si电池的性能的关联性。最后,具有TCO/n-a-Si:H/i-a-Si:H/p-c-Si/p -a-Si:H/Ag结构的太阳能电池的最优化性能被获得,其光电转换效率为27.07%（VOC: 749 mV, JSC: 42.86 mA/cm2, FF: 84.33%）。深入地了解异质结电池的输运特性,对进一步提高电池的效率有很大的帮助,同时对实际太阳能电池的制造也能提供有益的指导。     

采用热蒸发和氧化技术制备金属诱导的In2O3纳米塔

利用热蒸发、氧化及金属诱导技术,具有不同截面的大尺度In2O3纳米塔被成功地合成,这些纳米塔的形貌、结构特征与诱导金属的种类（金、银或锡）、衬底和蒸发源的相对位置、生长温度以及气流速率等有较大关系。采用锡作为金属诱导,In2O3纳米塔不能被合成,这说明金属液滴在这些纳米塔的生长初期起到了非常重要的作用。In2O3纳米塔的形成归因于一个竞争性的横向和轴向生长模式,横向生长由气相-固相机理控制,而轴向生长由金属液滴辅助的气体-液体-固体生长机理控制。具有奇异的塔状结构的In2O3纳米塔在光电器件和气体传感器等方面有潜在的应用前景。     

非晶硅/微晶硅叠层电池的模拟研究

电流匹配和隧穿复合结是影响氢化非晶硅/氢化微晶硅叠层电池性能的两个关键因素.文章采用wxAMPS模拟软件研究了氢化非晶硅/氢化微晶硅叠层电池中顶电池与底电池的厚度匹配对电池短路电流的影响,以及隧穿复合结的中间缺陷态密度和掺杂浓度对叠层电池性能的影响.研究发现当顶电池和底电池的本征层厚度分别为200和2 000 nm、中间缺陷态提高到1017 cm-3·eV-1以上,且掺杂浓度提高到5×1019 cm-3时,叠层电池获得最佳性能:换效率为15.60％,短路电流密度为11.68 mA/cm2,开路电压为1.71V.