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本文研究了SiH4—O2体系LPCVDSiO2的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜,改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构,获得了每炉100片、直径为100mm的硅片的膜厚不均匀性≤士5%的结果。 相似文献
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