多芯片组件光互连的实现途径

着重讨论光互连技术在多芯片组件中的潜在应用。分析结果表明光互连技术在多芯片组件中应用应包括：组件的输入、输出、时钟分布以及内部芯片间互连等。     

用于多路信号传输的集成复用技术

通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析，认为选择单节的四路ＭＵＸ和ＤＭＵＸ，结合通常为２－３微米双极高速工艺，比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的４∶１ＭＵＸ和１∶４ＤＭＵＸＪ模拟验证，用２微米高速双极工艺研制已具有初步功能。     

非线性有机物和聚合物在波导光互连中的应用研究

硅基底波导光互连技术具有可以充分利用成熟的半导体工艺,与VLSI电子器件工艺 相容好等特点,引起了人们极大的研究兴趣。近几年飞速发展的非线性有机物和聚合物因它们同无机材料相比具有潜在优越的光学和结构特性,用于波导光互连更显示出良好的发展前景。首先它们用于开关结构的设计,为波导光互连器件的动态控制提供了又一可能性,它涉及新工艺和理论两方面研究。其次有些有机物和聚合物的电光系数与铌酸锂的相当,有的甚至高出许多,它们在连续沉积薄膜时,其电光效应无明显的改变,制作的电光调制     

采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计

对早期开发的铝栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路和近期研制的硅栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨＺ昂贵地详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进，使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善，从而提高性能价格比，适应市场不断发展的需求。     

多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究

叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术通过对器件结构的比较，工艺特点的分析，进行了改善关键技术的探讨，并在我们现有基础条件下，开展了用ＳＳＴ研制晶体管的实验。     

硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。     

用于计算机光互连的集成时分多路转换器

本文介绍用于计算机网络内的单片集成时分多路转换器的线路特点、设计方法和模拟结果。研制的４：１ＭＵＸ和１：４ＤＭＵＸ电路采用２μｍ高速硅双极工艺已具有初步功能。     

氮氧化硅光波导的制作途径,性质及应用

重点分析了硅基ＳｉＯＮ光波导的工艺制作途径及其有关性能。根据有关实验结果，讨论了工艺中存在的问题，最后给出了它的应用。     

用于计算机光互连的集成化发送器和接收器

从对计算机光互连的实用要求出发，实现了用集成化的发送器和接收器经光纤连接器组成收发对后，能很好地在４×４多处理机系统内用光互连代替电互连。着重探讨了发送器和接收器的结构、设计，以及工艺改进途径，对互连器件的配套选择、性能测试作了一定工作，使之能方便使用。