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This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. The energy of the incident light ranges from 1.959eV to 4.300eV. The refractivity n and extinction coefficient k of the epitaxy layer are found to be regularly changed with the x-values of the epitaxy layer.The n-E spectrum displayed a obvious peak among the measured values and the energy position related to the peak increases with increasing of x, which can be written as E= 2.88+ 0.87x. Thus the x value of the epitaxy layer can be obtained from the peak position of the n-E spectrum of the AlxGa1-xAs epitaxy layer by Automatic Rotating Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. 相似文献
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采用热丝化学气相淀积生长法,在Si衬底上外延生长3C-SiC薄层获得成功,生成源为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为1800-2000℃,碳化和生长时底温度低于1000℃,用X射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数,X射线衍射结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为2.686,光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。 相似文献
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采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为2000℃,碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃,用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C,且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC. 相似文献
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本文探讨了硅掺入稀土元素Er后能发出波长为1540nm的光的机理,对影响其发光特性的温度猝灭现象作了初步分析,最后指出了将其实用化还必须解决的一些问题。 相似文献
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基于硅通孔(Through silicon via,TSV)技术的硅光转接板是实现2.5D/3D光电混合集成方案之一,TSV和再分布层(Redistribution layer,RDL)是集成系统中信号传输的关键组件。对基于硅光转接板的光电混合集成技术进行了介绍,研究了接地TSV排布对基于SOI衬底的TSVRDL链路传输性能的影响,并展示了带有TSVRDL链路结构的光电探测器的高频特性。该探测器3 dB带宽可以达到31 GHz,为基于硅光转接板的2.5D/3D光电混合集成的实现奠定了基础。 相似文献
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纳米硅二极管的电输运特性 总被引:4,自引:0,他引:4
用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10^3-10^-1Ω^-1cm^-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定性解释。 相似文献
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给出了适用于分析复杂结构HBT的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型(CP)。模拟了Si/SiGeHBT的高频特性。模拟结果显示Si/SiGeHBT的频率特性较SiBJT大为改善,而基区及集电结SCR区的电荷输运时间将成为提高Si/SiGeHBT截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。 相似文献
9.
采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了nc-Si∶H/c-Si量子点二极管.在10~100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性.结果指出,当反向偏压为-7~-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si∶H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中,由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象.如果进一步改进膜层生长工艺,以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的 相似文献
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作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2 μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2 μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2 μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度,得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构。通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件,在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17 dB/cm,调制效率为2.86 V·cm,静态消光比为23.8 dB,3dB EO带宽为27.1 GHz。同时,与220 nm厚度顶层硅器件相比较,器件的综合性能更为优越。研究内容为后续器件实际制作提供了依据,也为后续2 μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向。 相似文献