纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究

本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）．当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ．本文将这种对量大于Ｓｉ单晶能隙的光发射归因于多层膜中ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ子层的量子尺寸效应．     

光致发光纳米晶粒硅薄膜的电子自旋共振研究

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范围的光致发光．薄膜的ＥＳＲ谱由三个部分组成：（１）一对轴向对称超精细谱线，其ｇ∥＝１．９９６７，ｇ⊥＝２．００１６，其超精细常数为１．２×１０－２Ｔ；（２）一条各向同性谱线，其ｇ＝２．００５２．线宽△Ｈｐｐ＝１×１０－３Ｔ；（３）一条轴向对称谱线，其ｇ∥＝２．００５７，ｇ⊥＝２．００４２．以上三部分分别来源于三个不同的顺磁中心本文分析了它们的产生，