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无线电
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1.
氧化铝模板法制备Ge纳米线
总被引:8,自引:0,他引:8
叶好华
叶志镇
黄靖云
吴贵斌
赵炳辉
涂江平
侯山昆
《半导体学报》
2003,24(2):173-176
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .
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