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SPC技术在厚膜混合集成电路工艺中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文较为系统地介绍了SPC技术的基本概念,SPC控制图的选用方法,SPC技术在厚膜混合集成电路(简称HIC)工艺中的应用方法,它包括:确定主要工艺技术参数;HIC加工过程中的数据采集,控制图制作,及对应过程质量控制;过程稳态条件下CPK值的计算,实现与参数化控制相对应的质量评价方式。 相似文献
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较为系统地分析了金属外壳封装电路内部水汽来源问题,并在大量试验的基础上,制定了金属外壳封装电路内部水汽含量的有效控制措施,包括对金属外壳封装电路封装气密性的控制、封装环境的控制、封装前烘烤条件的控制等。 相似文献
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砷化镓(GaAs)发光二极管LED芯片既可作为发光器件,也可作为光电显示器件,并以其低能耗高亮度的优势被广泛应用,然而由于GaAs材料在机械性能上的不足,使其很容易在组装过程中产生键合陷坑,并对大批量生产造成影响。文章通过对比分析GaAs与Si的机械特性以及GaAs发光二极管的键合特殊性,较为系统地阐述了GaAs发光二极管产生键合陷坑的原因,并针对超声能量、键合压力、载片台温度等键合参数对GaAs发光二极管产生键合陷坑的影响,进行了充分的单项试验,根据试验结果制定了减少GaA s发光二极管键合陷坑的键合方法,极大提高了GaAs发光二极管的键合可靠性。 相似文献
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