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无线电
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1
1.
用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究
熊大菁
侯苇
《半导体技术》
1998,23(2):45-50,60
制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。
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