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本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶GaAs1-xPx:N(x=0.4)中的Nx和NГ发光带进行了研究。在选择激发条件下,实验未观察到混晶GaAs1-xPx:N(x=0.4)中NГ→Nx的带间能量转移现象。从变温光致发光谱得到在温度T〈50K时,NГ和Nx的激活能分别为Ea(NГ)=5.8meV和Ea(Nx)=11.2meV;在温度T〉50K时,NГ和Nx的激活能分别为Ea(NГ) 相似文献
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本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶GaAs1-xPx∶N(x=0.4)中的NX和NΓ发光带进行了研究.在选择激发条件下,实验未观察到混晶GaAs1-xPx∶N(x=0.4)中NΓ→NX的带间能量转移现象.从变温光致发光谱得到在温度T<50K时,NΓ和NX的激活能分别为Ea(NΓ)=5.8meV和Ea(NX)=11.2meV;在温度T>50K时,NΓ和NX的激活能分别为Ea(NΓ)=67meV和Ea(NX)=32meV.根据实验结果,我们提出,NX和NΓ中心分别来自孤立N中心和N束缚激子分 相似文献
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