低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光

在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．     

混晶GaAs1—xPx：N（x=0.4）中的Nx和NГ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中的Ｎｘ和ＮГ发光带进行了研究。在选择激发条件下,实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮГ→Ｎｘ的带间能量转移现象。从变温光致发光谱得到在温度Ｔ〈５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（Ｎｘ）＝１１．２ｍｅＶ;在温度Ｔ〉５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）     

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下,实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移现象．从变温光致发光谱得到在温度Ｔ＜５０Ｋ时,ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝１１．２ｍｅＶ;在温度Ｔ＞５０Ｋ时,ＮΓ和ＮＸ的激活能分别为Ｅａ（ＮΓ）＝６７ｍｅＶ和Ｅａ（ＮＸ）＝３２ｍｅＶ．根据实验结果,我们提出,ＮＸ和ＮΓ中心分别来自孤立Ｎ中心和Ｎ束缚激子分