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报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D(Li,O)复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S(T_2)到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态分裂值4A分别为22.74cm~(-1)(2.82meV)和33.980m~(-1)(4.21meV)。 相似文献
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报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱(PTIS),观察到2个新的谱线系列,结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主中心(NSD)有关,其浓度低达-10^9cm^-3,电离能分别为36.61meV和36.97meV,另外,对P和NSD(1)都观察到以前未能分辨的与6p±以上杂质激发态有关的谱线,分析表明,NSD可能是晶体生长过程中产生的,氧可能在其中起重要作用。 相似文献
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对桑蚕丝织物的耐光色牢度进行了较系统的试验。结果认为,要保证叠蚕丝织物的耐光色牢度,应尽可能选用蒽酯结构和金属络合结构的染料,并努力开发耐光色牢度较好的染料,建立较为完整的色谱,探索提高印染绸耐光色牢度的加工技术。 相似文献
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Photothermal ionization spectroscopy (PTIS) has revealed highly excited states of both shallow donors and acceptors in ultra-pure silicon. At least eight discrete lines associated with the highly exeited states that are higher than 6p, level of phosphorus donors have bsen observed in the photothermal ionization spectra of n-type ultra-pure silicon. For p-type ultra-pure silicon, up to 12 discrete lines and fine structures of the lines associated with the excited states of boron acceptors have also been observed. The assignment of the lines has been made and discussed according to the effective mass theory(EMT) of shallow impurities in silicon. 相似文献
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简要介绍绸缎产品质量测试中确保评定结论正确性应考虑的问题和必需具备的条件,扼要阐述了采用格拉布斯准则进行可疑数的分析判断。 相似文献
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报道了一个与Nicolet 200SXV傅里叶变换光谱仪联用的可同时测定半导体样品中浅施主和浅受主杂质浓度的实验装置,介绍了用该装置同时测定硅样品中杂质硼和磷浓度的实验。 相似文献