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介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉膛采用螺帽连接既使受力均匀,开启也较方便;上下轴均有压力补偿,采用“O”形密封,运转比较灵活;可用热偶取出信号进行控温等。用液体复盖直拉法(LEC法)在该单晶炉内进行了GaP单晶生长实验,采用电阻加热方式,在我国首次拉制出了适于绿色(黄、红)发光二极管衬底的掺Te的GaP单晶。详细介绍了所用热场配置、掺杂计算,工艺 相似文献
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近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999%的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。 相似文献
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