500兆赫输出50瓦功率增益10分贝的高频硅功率晶体管(一)

本文的目的是介绍一种在500兆赫下能输出50瓦功率,功率增益为10分贝,效率为50％的晶体管。工艺与封装设计的改进是采用复盖技术和双基极集成引线的几何图形。采用新的电路技术进行器件试验并提供下述结果:在500兆赫下输出功率为39瓦,功率增益为5.1分贝,集电极效率为70％。在400兆赫下输出功率43瓦,功率增益为4.9分贝,集电极效应为81％。所有试验被限定在400兆赫下进行,这是因为器件使用在这个频率。最后的集电极效率远远超过规定。在400兆赫下脉冲功率达到70瓦。负载失配试验的结果表明,该器件能容许在400兆赫下电压驻波比为25:1,而性能没有损坏。相互调制的失真度在输出为40瓦时是—30分贝。总共提供了132支成品管子。     

英语习语产出性知识与英语水平的相关性——以安徽师大英语专业45名大三学生为例

习语总产出性知识和英语水平具有显著正相关性,随英语水平的提高而显著增长,其中习语拼写知识和英语水平的正相关性最高,拼写知识的增长要快于语域知识和同义词知识;三类习语总产出性知识在不同英语水平层次上存在显著差异,人际习语总产出性知识最多,其次是关系习语,最后是概念习语;概念习语总产出性知识对英语水平的影响最大,可以预测英语水平.     

硅超高频功率晶体管的实际性能极限

本文讨论由于实际基区层的扩散问题与在比较大的面积上可得到的光刻分辨率所产生的对功率晶体管性能的极限。图1表示一个典型的几何结构,其中L_e是发射极条的半宽度,两发射极之间的距离为2L_e,总的发射极周长为L_p。发射极面积为A_e=L_eL_p,集电极面积为A_c=2L_eL_p。发射极平面的基区层的薄层电阻为R_s,由I_n所表示的载流子的渡越时间为τ,它与截止频率f=1/2πτ相对应,而集电极电阻率由集电极体击穿电压V_B来描述。我们将考虑增益、功率输出和阻抗与上述参数有什么关系,以及如何估计用现有工艺所能得到的性能。     

基于柱透镜光栅的虚模式下一维集成成像显示特性

针对柱透镜光栅的分光特性,构建了虚模式下一维集成成像系统的显示平台,对显示分辨率、观看视角和重构图像深度三个表征显示特性的参数进行了系统分析,并在此基础上,提出了一种一维集成成像显示过程中观看视点图像的计算机模拟重构方法,该方法利用光在柱透镜中的传播规律,依次计算观看视点在每个柱透镜中所看到的图像信息并最终合并成一幅视点图像。实验结果表明,计算机模拟重构的视点图像与显示平台的显示效果完全吻合,可以真实描述一维集成成像的显示过程,分析得到的显示特性参数可以作为一维集成成像系统设计的理论依据。     

雪崩注入引起的功率晶体管的二次击穿

在功率晶体管中二次击穿继续是一个广泛讨论的课题。虽然横向热不稳定的模型足以说明正向偏置二次击穿,但不能说明反向偏置二次失效机理。热诱发和电诱发过程成功地说明了这个现象的某些方面。本文从试验和分析两方面研究反向偏置二次击穿的课题。可以看到在理论和实验之间符合得很好。本研究的结论认为雪崩注入是触发机构,而且雪崩注入引起的线状电流在大多数情况下能造成器件失效。也可以说,在线路一定的情况下,晶体管的反向偏置二次击穿电位可由单一的参数 V_P 来确定,V_P 是雪崩注入所需的电压。     

100—400Mbit/s光传输系统LD/LED发射器特性和专用单片集成电路的设计

作为光通信系统专用集成电路技术的第一步我们采用3μm的双极型工艺研制了工作在100～400Mbit/s LD与LED发射器单片集成电路。作为专用IC我们研制了LD发射器IC,它包括一个为高速调制用的微分电流开关、输入缓冲电路;为稳定输出光功率用的稳流器和APC电路。这些专用电路改变很少儿根引线就制成了LED发射器。LD发射器在信号电流为40mA时上升时间为0.5ns,下降时间为0.7ns。LED发射器在信号电流为100mA时,上升时间为0.4ns,下降时间为0.6ns。为了证明所研制的IC的可用性,测量了LD和LED发射器的特性。结果证明所研制的IC组成的两种发射器可在300～400Mbi t/s调制速率下工作,在整个5V±5％的电流电压及0～50℃的温度范围内输出光功率的起伏小于±0.5dB。从这些结果证明,专用单片集成电路是可行的。对降低开关时间是有用的。     

功率晶体管的特性测定

讨论了用于功率晶体管的热阻的理想概念。因为将热阻概念应用到器件上去时所作的两个基本的假设是无效的,所以使用热阻概念时要很小心。与此相反的两个假设是:1)功率晶体管的结温不是空间均匀的;2)对于所有的工作点没有一个唯一的热阻值。也讨论了测量功率晶体管结温(热阻)的各种电学方法,而重点放在只在发射极加开关的测量方法,这个方法是常用的标准的测量方法。还讨论了正向偏置安全工作区(SOA)极限的发生和测量,同时指出因为电流拥集的出现及由此引起的热点,给定的 SOA 极限经常允许器件在很危险的高的结温下工作。讨论了能测定峰值结温和电流拥集开始发生的电学测量方法,同时指出这些方法怎样用来改进 SOA 极限的发生。     

顶面集电极接触的微波功率晶体管(第三部分)

一、器件特性1.1 引言为了估计每一批的质量与制作方法之不同的依赖关系,要考虑四个主要的性能,这些性能是:直流特性、在1.5千兆赫下的射频特性、单个和多个单胞的功率均分以及射频阻抗特性。对顶面集电极接触和一般的集电极接触结构都作了性能上的估价。对六个特定的批次作了性能测试和单胞并联研究。这些批次包括(100)硅制作的不同结深、改进的 V 形槽金属化层的光刻和背面扩散结果。