一种高速数据接收同步电路的设计

介绍了一种高速数据接收同步技术,用以解决在高速、超高速情况下数据同步困难的问题.随着电路工作频率的提升,数据的稳定有效周期变得越来越短,对采样时钟的时序要求也越来越高,特别是由于工艺波动、温度变化等原因,数据与时钟的相位关系发生变化,导致时钟采样时发生误码,电路不能正常工作.采用该数据接收同步技术,可以将时钟采样设置为最佳时序,并且当时钟与数据相位关系变化时,能自动对时钟相位进行调节,重新回到最佳时序,从而大大提高数据接收的可靠性.     

一种超高速10位D/A转换器的设计

设计了一种超高速差分电流舵10位D/A转换器.该D/A转换器电路由8路分时复用器、5-31"温度计"译码器、快速转换电流开关和恒流源阵列等单元组成,采用0.35 μm SiGe BiCMOS标准工艺制造.该10位D/A转换器的数据更新率达到1 GSPS.介绍了电路实现原理和各单元的结构及设计思想,给出了电路仿真结果,并对实际电路进行了测试和分析.结果表明,该10位D/A转换器具有精度高、速度快、通用性强等优点.     

一种用于高精度D/A转换器的数字校准技术

介绍了一种用于400MSPS16位高精度电流舵D/A转换器的数字静态校准技术。该校准技术利用地址产生器、钟控比较器、SAR寄存器和校准DAC,构成逐次逼近式校准环路。利用该校准环路,可以自动完成高7位电流源阵列单元的校准,从而极大地提高电流源的匹配性。采用该校准技术的16位电流舵D/A转换器的DNL大于±0.5LSB,达到了真正的16位精度。     

混合信号IC的ESD保护电路设计

从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路.在此基础上,构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构.该结构采用二极管正偏放电模式,以实现在较小的寄生电容情况下达到足够的ESD强度;另外,该结构在任意两个pad间均能形成ESD放电通路,同时将不同的电源域进行了隔离.     

0.35μm SiGeBiCMOS10位1GSPS单片直接数字频率合成器

设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻辑等模块。芯片采用标准0.35μm SiGeBiCMOS工艺流片。测试结果表明,DDS能够生成高速、高质量的正弦/余弦捷变波形。