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用数值方法对泊松方程求解时,往往要对迭代的中间结果作适当的压缩处理,以加快收敛速度和避免溢出。本文提出一种单一指数因子的非线性压缩法。一维数值模拟结果表明,平衡态时不必进行压缩处理。而在非平衡态时,最佳指数压缩因子的大小与杂质浓度有关。参考本文给出的数值计算结果,根据给定器件的杂质浓度分布,选定一最佳指数压缩因子,可以使泊松方程的数值求解过程具有最快的收敛速度。 相似文献
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本文采用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2O3基底上制备MgB2/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。实验结果表明随着后续MgB2沉积温度的增加各膜层结晶程度进一步提高,晶粒尺寸不断增大,各自保持着良好的物质稳定性。在730℃温度下生长的MgB2薄膜的超导转变温度Tcon和零电阻温度Tc0分别为39.73K~39.53K,剩余电阻率~0.77μΩcm,表明样品处于干净极限。 相似文献
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应用扫描探针显微镜(SPM)技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变。通过电激励、编程和擦除等操作,控制细丝的产生和断裂,实现了阻变薄膜局域的重复编程/擦除操作。用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化物薄膜的阻变特性,对两种机制做了对比研究。结果表明:在阻变存储器(RRAM)中氧空位机制在导电细丝和数据密度方面要高于金属细丝机制。同时,金属细丝机制阻变薄膜部分区域因编程/擦除操作发生了永久性形貌变化,可能对阻变器件的电极产生永久性破坏,这说明氧空位机制阻变薄膜在未来的高密度存储上具有较好的应用前景。 相似文献
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超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。 相似文献
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用参数已经优化的MCML(MOS电流模逻辑)电路设计了锁存器,对锁存器的功耗及延迟进行了仿真分析;基于该锁存器分别设计了一个二分频和四分频电路,二分频电路的最高工作频率达到7.7GHz.四分频电路采用两个二分频电路直接级联,由于无缓冲连接,不仅减小了第一级的输出节点电容,同时减小了芯片的面积.电路仿真均在SMIC 0.13μmCMOS工艺下完成. 相似文献