Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数(英文)

Ce has been introduced into the Si single crystal by means of vacuum deposition of Ce onto a Si wafer and then annealing at 1050℃ for 20 hours in vacuum.In the annealing process, Ce-Si alloy was formed on the surface at first, then Ce atoms were diffused into Si and produced a diffusion region with thickness about 4.5μm. The concentration profile of Ce was dedermined by SIMS. The diffusion coefficient of Ce in Si at 1050℃ was obtained as 3.9×10-13 cm2/s while the average resistivity P of the Ce diffusion layer was measured from 77K to 450K.     

正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比

正向小注入下分析了p+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比Cp/Cn。     

用RDLTS方法研究P型硅中Yb的空穴发射率与电场的关系

用RDLTS方法测量了P型硅中Yb的空穴热发射率与电场的关系,结果表明当电场强度大于 3 ×10~4伏/厘米时发射率显著增大.此外.同样方法测量了硅中Au的深施主能级的空穴发射率,井与Yb的结果作了比较.     

用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究

稀土元素Yb在1050℃扩散30分钟,已被引进硅中.它在P型硅中形成两个空穴陷阱Ev+0.38eV和 Ev+0.49cV,在N型硅中形成一个电子陷阱 Ec-0.33eV.它们的电激活浓度都在10~(13)cm~(-3)量级.     

用脉冲激光把稀土元素Yb引入硅单晶中

用Q开关Nd:YAG脉冲激光辐照淀积在Si上的稀土元素Yb,当输出能量密度≥6.0J/cm~2时,成功地把Yb引入Si中.用二次离子质谱(SIMS)分析指出进入Si中Yb的表面浓度为3 ×10~(11)/cm~3,在离表面 0.75μm处,浓度仍有 7 ×10~(19)/cm~3.     

在N型硅中激光掺金

用CWCO_2激光器已把淀积到硅片上的金引入到了硅中.硅中金的表面浓度达到4×10~(11)cm~(-3).用SIMS和DLTS技术研究了掺杂行为.     

单边突变p~+n结的非耗尽分析

本文对硅单边突变p~+n结的空间电荷区做了非耗尽地分析.在考虑到两种自由载流子同时存在的条件下,分析了该p~+n结在平衡态及正向偏置下(非大注入)的电位、电场分布及其中自由载流子浓度关系.指出,单边突变p~+n结的空间电荷区由三部分组成,即尖峰超强电场及少于强电场区、自由载流子耗尽区和边界区.井同耗尽近似的结果进行了对比.     

硅中钛的若干物理性质

本文报道研究扩散掺钛的硅中深能级的结果。用DLTS法观测到三个与钛有关的深能级,即在n-Si(Ti)中有二个电子陷阱,能级位置分别为Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一个空穴陷阱,能级位置为Ev+0.32eV。详细的电容瞬态研究得到了这些能级在一定测试温度范围内的热激活能和俘获截面以及其它有关参量。本文还就测量结果对能级的键合性质和钉扎于那一能带做了讨论。