彩显管荫罩曲面设计

本文从测定偏转线圈磁场参数出发,直接求解电子轨迹方程而确定三束的会聚点。根据三束会聚于荫罩面上的电子光学原理,得到了50°偏转角下的荫罩曲面方程,结果与日立公司的相应公式吻合较好。略经修正就可将它推广到大偏转角的场合,为今后自行设计荫罩探索了方向。     

离子束注入的蒙特卡洛模拟分析

基于LSS理论,本文用蒙特卡洛法模拟计算了不同能量的硼、磷离子注入非晶硅靶及多层靶中的射程和能量淀积分布。对于多层、多原子靶,利用概率分布和比例函数使它转换成普通靶材料的计算。计算结果与LSS理论及IBM公司J. P. Biersack等人1985年的计算结果基本相符。对于高斯型分布的微细离子柬注入,对其径向坐标的随机抽样作了模拟分析,结果表明横向分布与束半径密切相关,并且横向能量淀积的峰值位置就在束半径附近。     

荫罩热变形的分析与计算

本文先用有限元的迦辽金法考虑了曲面上非线性热辐射和热传导的耦合问题,计算得到荫罩、框架组件在工作状态下的温度分布情况,然后运用通用结构分析程序SAP 84计算了组件的热变形,根据电子束轨 求得着屏误差。结果符合实际情况。文中还进一步对影响着屏误差的多种因素进行了计算与分析,所得结果具有重要的实用价值。     

液态金属离子源发射系统特性研究

本文采用动态喷咀状模型[1],用模拟电荷法计算了液态金属离子源发射系统的电场分布[2]。在用Monte Carlo法模拟发射离子的初始位置和初始速度的基础上,考虑离子间的相互作用力计算了离子轨迹。在保证一定精度的前提下,为了提高计算速度,在轨迹计算中采用了离子团和参考球等近似技术。 通过对大量离子轨迹的统计计算,得出能散与束流、能散与角电流强度等的关系曲线。计算结果与P.Marriott[3]和G.L.R.Mair[4],难波进[5]等人的实验结果基本相符。 根据反复改变发射极形状,引出极孔径和极间距离的大量计算结果,得到发射特性主要决定於发射尖端的大小和形状而与引出极结构关系不大的结论。     

用电荷模拟法计算液态金属离子源发射系统

本文介绍用电荷模拟法计算液态金属离子源发射系统,此方法具有计算精度高,节省机时和程序编制简单且通用性强等优点。使用动态喷嘴状模型,对液态金属离子源发射系统进行了计算,得到了有益的结果。     

摄象管磁聚焦磁偏转系统的研究

对摄象管磁聚焦磁偏转系统,O.Schade曾经提出一种计算电子轨迹和分析象差的方法。作者用此法实现了与Schade相同的结果。该法用“等效磁场”的概念来近似处理网前径向电场,本文指出这一概念不适用于具有强准直透镜的现代摄象管,提出用Runge—Kutta法解复合场中电子轨迹的方法来代替。对国产偏转聚焦组件PJ—25P及两端增强的聚焦磁场作了计算,与实测结果吻合。计算表明,PJ—25P的性能良好,以及采用两端适当增强的聚焦磁场,能够提高四角分辨率。     

用Monte Carlo法模拟计算液态金属离子源的发射特性

本文运用Monte Carlo方法模拟计算液态金属离子源的发射特性.通过随机抽样确定离子发射的初始位置和速度,考虑离散的空间电荷效应,用四阶自动变步长Runge-Kutta方法计算离子的运动轨迹。为加速Poisson场收敛,本文用恒定的总束流进行每轮迭代,并提出以维持总发射束流恒定所需引出电压的变化作为衡量Poisson场收敛的判据。通过对大量离子的统计计算,获得了角电流强度、虚源的大小和位置、离子束能量散度和束斑大小等离子源的特性参量。