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本文对30kev Si^+和分子离子SiF^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研究对比。注入Si^2+样品的Si原子纵向分布与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光900℃10″RTA,电激活率可达60%,电化学C-V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAs有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用 相似文献
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束流剖面监测仪是监测带电粒子束在传输过程中状态变化的一种装置。该装置的叶片式探针(以下简称探针)安装在粒子加速器、同位素分离器和离子注入机等监测位置上并由它把截获的信号显示在示波器屏上便可观察到沿束横截面束流密度分布曲线(以下简称束形)。通过束形变化我们可定性地判断束流强度、束流品质和它在束管道中的相对位置等。因此,它在国外各种类型的粒子加速器上广为使用。 相似文献
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低能全元素离子注入机 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5~60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2~5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3%;注入温度:室温~400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。 相似文献