一种高速MaskROM的设计研究

文章分析讨论了掩模只读存储器的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个高速的576k位MaskROM的设计与实现.针对字线负载大、速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使MaskROM的读取时间有较大提高.该款MaskROM采用0.5μm CMOS工艺,电源电压5...     

基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟

为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应,采用TCAD工具,对0.13 μm SOI工艺的PN二极管进行建模,数值模拟了二极管光电流变化与不同瞬态γ剂量率辐照之间的关系.通过模拟PN+型、P+N型两种二极管结构在不同偏置电压、不同剂量率辐射下的抗瞬时剂量率辐射能力,可以得出当瞬时剂量率...