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测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2mo1/L HCl和2mo1/L HCl 0.5mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线,用Daubechies2小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解,研究了SO4^2—在铝箔交流扩面电蚀工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl^—溶液中点蚀时的氧空位侵蚀机理模型,该模型指出在一定的酸度条件下,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是C1^—与SO4^2—发生特性吸附的原因;C1^—在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链;进入侵蚀膜内的SO4^2—在强场作用下发生离解,离解出的O^2—与侵蚀膜内的氧空位作用,致使氧空位湮灭,切断了Cl^—在侵蚀膜内的传输途径,同时由于这种作用调整了Cl^—在侵蚀膜内传输的网络结构,增加了蚀孔内新生蚀孔的萌生机率,从而在铝箔电蚀扩面腐蚀工程中起到了独特的缓蚀作用、 相似文献
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电化学点蚀信号的小波分析研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高纯电子铝箔在HCl H2SO4混酸体系中的点蚀行为进行的电蚀扩面技术,是铝电解电容器实现小型化、高性能化与片式化的关键技术。受到微观原位观测手段的限制,高纯电子铝箔的点蚀机理目前尚不明确,极大地制约了工业上对扩面倍率瓶颈的突破。对电化学点蚀信号进行有效地处理与分析能帮助实现对点蚀机理的揭示。在此,将小波分析的降噪功能、时频分析功能与趋势估计功能引入电化学点蚀信号的分析中,成功实现了对高纯电子铝箔在2mo1/L HCl中与2mo1/L HCl 0.5mo1/L H2SO4中点蚀行为的研究。 相似文献
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