亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计

利用休眠晶体管、多阈值和SEFG技术(源跟随求值门技术),设计了一种新型的p结构多米诺与门.HSPICE仿真结果表明,在相同的时间延迟下,与标准双阈值多米诺与门、标准低阈值多米诺与门和SEFG结构相比,提出的新型多米诺与门的漏电流分别减小了43%,62%和67%,噪声容限分别增大了3.4%,23.6%和13.7%.从而有效地解决了亚65nm工艺下多米诺与门存在的漏电流过大,易受干扰的问题.分析并得到了不同结构的休眠多米诺与门的漏电流最低的输入矢量和时钟状态.     

光栅测量芯片中显示接口的设计

提出了一种光栅测量芯片中液晶显示接口的电路设计方法,电路主要由四个模块组成:MCU,CDU,I/O 以及一个同步 FIFO.使用 SMGl2864C 这款芯片作为液晶驱动模块,并应用了 Verilog 硬件描述语言来对整个电路结构进行描述,之后使用 Modelsim 工具来进行功能仿真,最后应用 Synplify 工具对所设计的整个电路进行综合.通过在 Xilinx VirtexⅡ FPGA 平台上进行的后仿真及验证,得到的时序分析结果显示出所设计的电路满足显示接口的设计要求.此外,本电路还有着很好的灵活性及可移植性,通过修改 MCU 模块中的时序约束参数,就可以达到在其他的液晶驱动电路下工作的目的.     

亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计

利用休眠晶体管、多阈值和SEFG技术(源跟随求值门技术),设计了一种新型的p结构多米诺与门.HSPICE仿真结果表明,在相同的时间延迟下,与标准双阈值多米诺与门、标准低阈值多米诺与门和SEFG结构相比,提出的新型多米诺与门的漏电流分别减小了43%,62%和67%,噪声容限分别增大了3.4%,23.6%和13.7%.从而有效地解决了亚65nm工艺下多米诺与门存在的漏电流过大,易受干扰的问题.分析并得到了不同结构的休眠多米诺与门的漏电流最低的输入矢量和时钟状态.