硅中过渡金属深杂质态的量子化学研究

用缺陷原子簇模拟大块晶体,进而应用分子量子化学理论予以处理,是研究固体中深杂质态的一种有效的近似方法。本文采用17个原子组成的原子簇,以EHMO方法,对Cr、Mn、Fe、Co、Ni五个中性过渡金属原子在半导体硅中所引起的深杂质态,进行了量子化学计算。所得杂质能级在带隙中的位置与实验结果基本一致。