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作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga2O3)被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga2O3,亚稳相Ga2O3表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质量的亚稳相Ga2O3单晶薄膜是实现亚稳相Ga2O3基功率电子、微波射频和深紫外光电信息感知器件的重要前提。重点阐述了亚稳相Ga2O3的晶体结构、电子能带结构以及相关物理性质,总结了近年来亚稳相Ga2O3异质外延和能带工程的研究进展,并对未来亚稳相Ga2O3材料和器件的发展趋势进行了展望。 相似文献
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