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采用有限元仿真和实验两者相结合的方法,对-40～70℃使用环境下的Pb90Sn10焊点硅基器件与PCB板组装的组件,选择-55～85℃温度循环条件进行可靠性分析和研究。Anand模型仿真分析焊点在温循下应力应变行为,提取模型焊点在最后一个温度循环结束时的等效塑性应变分布并进行分析,确定最易发生热疲劳失效的关键焊点和关键位置。基于Coffin-Manson方程对热循环条件下焊点的服役寿命和失效模式进行预测。仿真结果表明焊点失效机理为热疲劳失效,失效模式为焊点开裂,失效循环周期为3 984 cycles。实验表明：温度循环500次,未出现焊点裂纹、空洞等缺陷;温度循环2 000次后焊点形貌由球形变为椭球形,焊点未出现明显缺陷。 相似文献
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本文研究了不同氮掺杂浓度对n型6H-SiC干氧氧化速率的影响。实验中,氮掺杂浓度从9.53×〖10〗^16 〖cm〗^(-3) 到 2.68×〖10〗^18 〖cm〗^(-3),氧化温度为1050 0C和1150 0C,氧化时间从2 h 到10 h。由修改的Deal-Grove模型结合阿伦尼乌斯方程,提取出了氧化的线性速率常数和抛物线速率常数以及它们分别对应的活化能。实验数据表明,氧化温度的增加会加速氧化;氮的掺杂浓度对SiC的干氧氧化速率有影响：线性和抛物线速率常数都随着掺杂浓度的增加而增大;抛物线速率常数对应的活化能从0.082 eV增加到0.104 eV,线性和抛物线速率常数对应的活化能都随着掺杂浓度的增加而增大;抛物线速率对应的指前因子从2.6x104 nm2/s 增加到 2.7x105 nm2/s,线性和抛物线速率对应的指前因子都随着掺杂浓度的增加而增大;而且,实验间接说明用提取出的Arrhenius活化能的变化来解释掺杂改变SiC氧化速率是不合理的。 相似文献
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