宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄

用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（     

数字化变电站母线保护特性及改进方案研究

阐述了智能电网的重要组成部分数字化变电站的结构和特点.通过动模实验数据和分析详述了数字化变电站和传统变电站母线保护方案的不同,以及数字化变电站对突破传统母线保护"瓶颈"所起的关键作用,从理论上提出了一种基于数字化变电站的母线保护新方案.     

泥竹塘铁矿石的选矿

就泥竹塘矿区铁矿石选矿采用原设计工艺流程不顺行的实际情况，提出取消磨矿系统，增设原矿擦洗脱泥，扫选作业等技术工艺措施的改造；即使工艺流程顺行，增加矿石处理量６０ｔ／ｈ，回收率提高２４％，降低生产成本１４．６元／ｔ，取得较好经济效益。     

泥竹塘铁矿山的管理

概括泥竹塘铁矿的管理实践，以期共同努力把广东地方铁矿办好。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于     

基于统计声学模型的单元挑选语音合成算法

提出一种基于统计声学模型的单元挑选语音合成算法.在模型训练阶段,首先提取语料库中语音数据的频谱、基频等声学参数,结合语料库中的音段和韵律标注来估计各上下文相关音素对应的统计声学模型,使用的模型结构为隐马尔柯夫模型.在合成阶段,以使目标合成句对应的声学模型具有最大的似然值输出为准则,来进行最佳合成单元的挑选,最后通过平滑连接各备选单元波形来生成合成语音.以此算法为基础,构建一个以声韵母为基本拼接单元的中文语音合成系统,并通过测听实验证明此算法相对传统算法在提高合成语音自然度上的有效性.     

基于自适应加权谱内插的宽带语音编码算法

提出了一种基于自适应加权谱内插(STRAIGHT)的宽带语音编码算法。输入的语音信号首先经过STRAIGHT分析得到精确的基频参数和谱参数,然后通过时域抽取和频域建模实现有效的编码压缩。在时域抽取时采用的区别于传统编码算法固定帧长的自适应可变帧长方法,使得编码存储量可以根据实际语音变化情况得到更加合理的分配。主观测听结果表明,该算法针对16kHz采样的语音信号,在6kbps码率上可以取得与AMR-WB(G．722．2)在8．85kbps时的相当的音质效果。此外,该算法还具有对恢复语音的时长、基频以及谱参数较强的调整能力。     

用硅烷偶合物来增加热塑性塑料的强度

填充型的热固性树脂,如酚醛、环氧和聚酯树脂,很久以来,向作为室内外的金属和玻璃的代用品,但目前,由于增强的热塑性塑料具有较高的挠曲强度和抗张强度,且热稳定性高,在低温时仍具有良好的耐冲击性以及形稳性等,因此,这个领域已被热塑性树脂所取代了。今年3月,美国塑料工程学会介绍了Union     

GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性

在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大，并对其发光峰位进行了理论计算     

Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数．此时，在（100）平面内，ZnSe阱层受到张应变，而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变，从而，导致其喇曼光谱中，ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动．当超晶格总厚度小于其临界厚度时，超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数，此时，ZnSe阶层不再受到应变，而Zn1－xMn