基于陶瓷衬底的薄膜再布线工艺及组装可靠性研究

随着军用武器装备向着智能化、小型化方向发展,业界对集成封装技术提出了更高的要求。基于陶瓷衬底的高密度薄膜再布线技术可应用于薄膜陶瓷多芯片组件（MCM-C/D）封装结构,实现感知系统、计算系统、测试系统等的小型化集成。制备了基于高温共烧陶瓷衬底的两层金属两层介质（HTCC-2M2P）结构的高密度载板样品,布线密度≤40μm/40μm,经过高温存储、温度循环等环境考核后,再布线层的可组装性满足GJB548标准对于焊接和引线键合的技术要求。     

陶瓷基片表面Au/电阻复合厚膜烧结起泡及其消除

针对以国内新研发的Au导体浆料与电阻浆料在Al_2O_3基片表面印制的Au导体/电阻复合厚膜烧结易起泡的现象,在探明起泡原因的基础上,研究了烧结温度、升温速率以及Au层厚度对复合厚膜起泡的影响,进一步优化厚膜工艺,制备出无起泡的复合厚膜。研究表明,烧成温度过高导致的玻璃相浮于复合膜层表面并结晶,烧结过程不充分和Au层厚度不足等导致不能在陶瓷基片/Au层界面形成连续的玻璃相粘结层,界面结合强度大大降低,在陶瓷基片/Au层界面易起泡。在烧结峰值温度为825℃,升温速率为40℃/min,Au导体层厚度为10μm的工艺条件下,复合厚膜与陶瓷基片结合紧密,无起泡现象。     

高可靠HIC抗辐照加固途径分析

高可靠混合集成电路（HIC）在航空、国防等领域均有广泛的应用。本文首先从空间应用和国防需求两方面阐述了提高HIC抗辐照能力的战略意义，然后总结了高可靠HIC可能遇到的辐射类型并简要介绍各辐射的损伤机理。在此基础上从IC辐照容差设计、半导体器件抗辐照加固和HIC抗辐照屏蔽三方面说明了提高高可靠HIC抗辐照能力的途径。最后提出一些建议。     

一种可应用于H级厚膜HIC内部水汽含量控制的吸收剂材料

本文介绍了厚膜混合集成电路（Hybrid Integrated Circuits,HIC）内部水汽的产生机理、负面影响以及G型吸收剂材料的吸收原理和使用过程;通过聚合物评价试验对G型吸收剂材料的可靠性进行验证,并对该材料的实用效果进行分析,最终得出结论——G型吸收剂能够用于H级HIC内部水汽含量的控制。     

浅谈超导量子比特封装与互连技术的研究进展

基于超导量子电路的量子计算技术已经在退相干时间、量子态操控和读取、量子比特间可控耦合、中大规模扩展等关键技术上取得大量突破,成为构建通用量子计算机和量子模拟机最有前途的候选技术路线之一。在介绍超导量子比特原理的基础上,结合自主创新成果,对国内外超导量子比特封装与互连技术的发展进行评价,并重点探讨了超导量子比特三维集成封装解决方案以及与外部稀释制冷机测控线路的高密度互连方案,为尽快缩小与国外超导量子计算机的差距提供超导量子比特封装与互连技术支撑。     

铜陵市天井湖公园规划

天井湖公园位于铜陵市西市区,铜陵县城东门外,总面积1600多亩,其中水面1200多亩,陆地400多亩。有大小山头六个,以五松山为主,屏列东南,其它小山散落于湖中和湖北。规划的指导思想和依据国以景胜,景因园异。造园的任务是在充分研究和利用园址内外的自然条件及其发生过的有价值的人文史迹的基础上,运用园林美学原理,创造出具有特色的园林景观和舒适的游憩活动环境。天井湖公园规划的指导思想就是以园址的特定条件为依据,尽量表现自身的风景特色,创造舒适优美的园     

3D打印-激光烧结制备导体和介质厚膜的显微结构与性能

为拓展3D打印技术在厚膜混合集成电路制备领域的应用,提高厚膜浆料烧结效率,采用3D直写+激光烧结制备三种导体浆料厚膜和一种介质浆料厚膜,并与常规的丝网印刷+高温炉烧结厚膜进行显微结构与性能的对比研究。结果表明,常规丝网印刷+高温炉烧结的导体及介质厚膜具有良好的显微结构与性能。相比而言,3D直写+激光烧结制备的导体厚膜平整连续、厚度均匀,焊接性能良好,但结构不够致密,部分导体厚膜存在膜层附着力不足,方阻偏大的问题;介质厚膜激光烧结后的致密性较导体厚膜更低,绝缘性能不满足要求。3D直写制备导体或介质浆料厚膜具有可行性,但激光烧结工艺参数有待优化,以实现厚膜的烧结致密化,提高厚膜与基板的结合强度。