排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
论述了LNG气化站的工艺流程,LNG的危险性,以及紧急切断系统、低温储罐液位控制系统、空温式气化器出口气体温度连锁系统、水浴式加热器后气体温度控制系统等安全保护系统的实现方法。 相似文献
2.
在微波半导体领域内,2~3英寸高迁移率、高完整性的SI-GaAs单晶是制做GaAs器件特别是GaAs IC的理想材料,但用LEC法生长的单晶位错密度较高,EPD达10~4~10~5cm~(-2)。根据国内外的报道,现有降低LEC GaAs单晶位错工艺的实质是降低单晶的热应力与提高临界切应力。根据这种观点,我们在改进的高压单晶炉中生长了直径 相似文献
3.
4.
5.
1