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用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性. 相似文献
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引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH
4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析. 相似文献
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简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高。 相似文献
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提出了一种基于非色散红外原
理的冰醋酸红外气体传感器。介绍了冰醋酸红外气体传
感器的原理,然后对其结构设计进行了详细描述,并利用Light Tools
软件对其光路进行了仿真验证,最后获得了冰醋酸红外
气体传感器样机。测试结果表明,该传感器在0~5000 ppm范围内
的测量精度优于±1%F.S.,响应时间(T90)为29 s。这种传感器的光源部分
采用电调制方式,舍弃了传统的红外气体传感器光源部分的机
械斩波结构,进而减小了传感器的体积,提高了稳定性。因此,该传感器
在冰醋酸运输、储存和使用等领域具有广泛的应用前景。 相似文献