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本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳＦＥＴ的研究表明,当沟道长度从２．０μｍ降至０．５μｍ时,表面沟ＰＭＯＳ管阈值电压的变化（ΔＶＴ）约为６０ｍＶ,而ＮＭＯＳ管相应ΔＶＴ为１１０ｍＶ．计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用． 相似文献
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