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利用2×6 MV串列静电加速器提供的1~10 MeV质子,开展了线阵电荷耦合器件辐射损伤效应的模拟试验和测量,研制了加速器质子扩束扫描装置及电荷耦合器件辐射敏感参数测量系统,建立了电荷耦合器件质子辐射效应的模拟试验方法,分析了质子注量、质子能量、器件偏置等对器件电荷转移效率和暗电流的影响。模拟试验结果表明,电荷转移效率随辐照质子注量的增加而下降,暗电流随辐照质子注量的增加而增大,在1~10 MeV质子能量范围内,质子能量越低,电荷转移效率的降低与暗电流的增加越显著。 相似文献
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分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV、14MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了CCD辐射敏感参数测试.利用Co-60γ源和反应堆脉冲中子,开展了商用器件总剂量和中子位移损伤效应模拟试验,在不同辐照条件下,给出了暗电流信号、饱和电压信号、电荷转移效率以及像元不均匀性的变化情况. 相似文献
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半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时,会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展,梳理了国际上开展不同辐射粒子或射线(质子、中子、电子、伽马射线)诱发LD辐射敏感参数退化的实验规律,分析总结了当前LD辐照效应实验方法研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展LD的辐照效应实验方法、退化规律、损伤机理及抗辐射加固技术研究提供理论指导和实验技术支持。 相似文献
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运用平衡合金法设计17个关键合金,并结合金相显微镜(OM)、X射线衍射(XRD)和电子探针显微分析(EPMA)测定Al-Ce-Ge三元系在500℃时的相平衡信息。结果表明:在500℃时,该三元系稳定存在α(CeAl_(1.62)-Ge_(0.38)),β(CeAl_2Ge_2),γ(CeAlGe),δ(CeAlGe_2)和ε(Ce_2AlGe_6)五个三元化合物及液相,测定δ相成分范围为Ce_(24.7~24.8)Al_(33~33.9)Ge_(41.3~42.3);实验发现η(Ce_(61.3)Al_(21.9)Ge_(16.8))和μ(Ce_(55.9)Al_(11.1)Ge_(33))两个新的三元化合物;并发现α+CeAl_3+γ,Ce_3Al_(11)+CeAl_3+γ,αCeGe_(2-x)+CeGe+γ,CeAl+CeAl_2+Ce_5Ge_3,Ce_3Ge+Ce_5Ge_3+Ce_3Al,CeAl+Ce_3Al+η和CeAl_2+Ce_5Ge_3+μ七个新的三相区。 相似文献
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针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。 相似文献
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中子对Si及GaAs半导体材料位移损伤的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了中子对半导体材料的位移损伤函数及损伤能力的表征,并选用ASTM标准的E722—94给出的Si及GaAs位移损伤函数,用MCNP粒子输运程序计算了Maxwell裂变谱源、Gaussian聚变谱源对Si及GaAs半导体材料的位移损伤以及相对于1MeV单能中子源的损伤等效系数等。 相似文献