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采用高压LEC工艺生长3inck掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1*10^18/cm^3,晶体位错密度小于1*10^4/cm^2。实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上。 相似文献
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