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本文讨论微米及亚微米级电子束曝光系统中各种透镜像差对合成透镜弥散斑的影响,分析了最佳电子束电流与末级透镜束会聚半角的关系。计算结果表明,计算模拟技术用于求取电子束曝光系统最佳参数是方便的,该方法很适合于求取个别系统的精确答案;电子枪电源及透镜电源稳定性的提高可以减小透镜像差弥散斑并提高可获得的最大电子束流;衍射像差在亚微米电子束曝光系统中有不能忽略的影响。 相似文献
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本文对扫描电子束曝光系统(SEBLS)透镜后偏转鞍形线圈的三级偏转像差对电子光柱系统的重要参数:偏转器与透镜之间的距离Z_o,工作距离Z_s以及对偏转器几何形状参数L/R的关系进行了较系统的分析;对绕线分布的影响(包括绕线中心位置、绕线宽度及绕线对称性对象差的影响)的计算结果指出:当鞍形磁偏转器(Saddle-type)以π/6为中心两侧对称布线时,因绕线分布所产生的偏转像差影响在微米、亚微米曝光系统中可以忽略。根据上述原理,我们研制成功一??种高精度WEDM偏转器,它有效的介决了CAD优化设计实际绕线工艺之间的一致性问题,这一偏转器的性能及其优越性,已在我们的微米圆束机中得到证实。 相似文献
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