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随着45nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅,二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。 相似文献
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针对微波辐射干涉测量在频域中进行测量值具有低频信息较少、高频信息丰富,且低频信息和高频信息分布比较集中的特点,提出了一种基于变密度稀疏采样的微波辐射干涉测量方法.该方法将测量的频域信息进行分块,根据不同块所包含信息量的不同,利用变密度进行稀疏采样.考虑微波辐射图像本身具有的梯度稀疏性和局部光滑性特征,建立全变差正则化约束的成像模型,并采用交替迭代算法进行微波辐射图像最优重构.仿真和实验结果表明,结合变密度稀疏采样方法和交替迭代重构算法能够快速、准确地反演高分辨率微波辐射图像;在总采样率相同的情况下,该方法能够大幅度提高反演图像的分辨率,且对低采样率情况效果显著. 相似文献
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通过对集丰高速所经过的黄旗海湿地地质勘察及地基软土工程性质的分析,在对湿地保护、高速公路投资等因素考虑的基础上,按照软基处理的基本原则和要求,综合考虑实际情况,给出了采用碎石桩复合地基处理高原湿地软基的方案,经监测地基沉降量小,满足规范要求,保证了工程质量,保护了高原湿地的地态环境。 相似文献
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文章应用生物法 (大型蚤 )测试了一系列苯酚取代物的急性毒性值 ,LC50(48h) ,并对测试结果作了定量构~活关系 (QSAR)分析。证明取代物的毒性按下列顺序减小 :-CH3 > -X>-OH> -NH2 > -NO2>> -OH(苯酚) 相似文献
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纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术 总被引:1,自引:1,他引:0
应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。 相似文献
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