一种用于开关电容电路的高性能运算放大器

设计了一种高性能BCMOS全差分运算放大器.该运放采用复用型折叠式共源共栅结构、开关电容共模反馈以及增益增强技术,在相同功耗和负载电容条件下,与传统CM0S增益增强型运算放大器相比,具有高单位增益带宽、高摆率及相位裕度改善的特点.在Cadence环境下,基于Jazz 0.35μm BiCMOS标准工艺模型,对电路进行Spectre仿真.在5 V电源电压下,驱动6pF 负载时,获得开环增益为115.3 dB、单位增益带宽为161.7 MHz、开环相位裕度为77.3°、摆率为327.0 V/μm、直流功耗(电流)为1.5 mA.     

Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取

采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．     

谐振隧道二极管

由于外延技术的快速发展与进步,作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起的学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大,速度提高,且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原理、重要物理现象,并对有关设计问题进行了讨论。     

基于边缘控制的智能人工作业系统

智能人工作业系统是一个具有模块化、网络化及交互式特点的人工作业系统,系统基于人体工程和精益生产的原理,通过一系列辅助外设实现多种航空机载设备的机电、光电等组件产品的人工装配和检测调试,满足多品种小批量精益生产的需求,此外系统还可用于新产品装配培训.针对辅助外设数量众多、种类繁杂的问题,同时也为了进一步增强系统的云边协同...     

D类功放中输入斩波运放电路的设计

基于n阱0.5μm DPDM CMOS工艺,完成了D类音频功放中输入斩波运算放大器的设计.分析了D类系统对输入运放的设计要求,在此基础上确定了电路采用两级全差分结构实现.并加入斩波结构降低噪声.采用PTAT电流源提供运放的偏置电流,补偿运放跨导gm的温度漂移.在Cadence下的电路仿真表明,前级运放具有16 μV·Hz-1/2的等效输入噪声,开环增益达到117.3 dB.运放所在芯片经过PWM方式流片验证,测试结果显示,芯片THD达到0.58%(f=1 kHz、P.=1 W、VDD=5 V),电源抑制比为65 dB.     

高温环保过滤材料的现状及发展趋势

文章简述了高温环保过滤材料的发展概况与机理,介绍了传统与新型高温滤料用纤维的性能特点,梳理了针刺、水刺、静电纺等加工成型工艺及涂层、覆膜、除尘脱硝等后整理技术的研发状况,并剖析了当前高温滤料存在的问题,最后指出环保化、复合化、功能化、差别化、产业化将是我国高温过滤材料的重点研发方向。     

PP/木浆复合擦拭材料及性能研究

为了开发绿色环保、综合性能优异的擦拭材料,以光降解PP/木浆为原料,运用非织造纺粘成网、湿法成网和水刺工艺制备了复合擦拭材料,探究了面密度对材料纵横向干湿态强度、吸液性能的影响.结果表明:当PP/木浆配比为20:80时,复合材料纵向抗张强度大于横向抗张强度,干态抗张强度普遍大于湿态抗张强度.随着材料面密度的增大,抗张强...     

HEMT的一维I－V参数提取

自从Ｍｉｍｕｒａ等人１９８０年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），其优越的电子传输性能备受注目，可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应用。本文采用Ｘｉａ等人提出的三段速－场公式，在考虑了３００Ｋ时场相关迁移率、沟道长度调制效应以及串联源、漏电阻等效应的基础上，又加入了Ａｌ＿ｘＧａ＿（ａｌ－ｘ）Ａｓ的组分ｘ的调制效应，以适应能带工程和高性能电路的需要；推导并求解ｘ＞０．３的Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的直流Ｉ－Ｖ特性。计算结果与理论值符合良好。     

高速CMOS锁存比较器的设计

本文设计了一款用于△-∑调制器的高增益高速CMOS锁存比较器.在两相互不交叠时钟的控制下,采用四级前置放大器完成对输入信号的采样、放大,高增益提高了比较器的精度并抑制了踢回噪声,采用正反馈的锁存器提高了比较的速度.采用一种新颖的共模反馈电路实现了对输出共模电平的稳定,并采用有效的措施限制了前级放大的差分输出摆幅.设计中采用高速度、传输延时较小的推挽输出,降低了整体功耗.