一种基于QFT的锅炉水位鲁棒控制及分析

在工业实际应用中,锅炉汽包水位在系统动态特性发生较大变化并且受到各种干扰因素影响时,模型的参数将发生变化,成为一个不确定系统.基于此种情况,本文应用定量反馈理论(QFT),提出了基于QFT的锅炉水位鲁棒控制方案,即内回路采用小积分常数比例积分控制器快速消除给水扰动,外回路应用QFT理论设计出主控制器并对主控制器的PID参数进行了整定,以保证水位无静态偏差,仿真结果表明,此种控制方法能够达到比较满意的效果.     

一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究

我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.     

引黄济青工程停止输水运行的调度研究

引黄济青工程是自黄河引水长距离明渠输水的跨流域调水工程。输水河全长253km,其中207km采用了塑膜防渗,聚苯乙烯保温板防冻胀,排水暗管防扬压力,混凝土板护面固床的渠道衬砌“三防”技术。该工程自1989年11月25日通水以来,己运行10年。10年来输水安全运行的关键之一是停止输水的调度。如果调度不当就会造成输水河衬砌滑坡、输水河渗透破坏,酿成事故,带来损失。     

对企业信息化建设的几点认识和思考

本文针对企业信息化建设中存在的典型问题进行了初步的分析，并提出了相应的合理化建议。以期推进企业信息化建设的进程。     

数字孪生驱动的机械加工工艺评价方法

在动态变化的加工条件下,机械加工工艺评价已成为智能制造模式下提高工艺可执行度和缩短产品研发周期必须要解决的关键问题,为此提出了数字孪生数据驱动的机械加工工艺评价方法。以加工过程感知数据为研究对象,创建加工过程实时数据的表达模型和获取流程,为工艺评价孪生数据提供了数据源泉;创建了加工工艺评价孪生模型框架体系,提出加工过程感知数据与工艺设计数据的映射机制,实现了工艺评价孪生数据的创建;将孪生数据反馈到工艺设计系统,实现评价数据的流通性、实时性与有效性;提出了孪生数据驱动的工艺评价方法;并创建了孪生数据驱动的机械加工工艺动态评价模块。并以船用柴油机关重件为例,验证了所提方法的有效性。     

长春市双阳区洪涝灾害监测预警体系探讨

洪涝灾害严重威胁人民群众的生命财产安全,构建洪涝灾害监测预警体系,能够有效地减少洪涝灾害造成的损失。文中根据长春市双阳区的实际情况,构建双阳区洪涝灾害监测预警体系,构建内容为调查评价、自动监测系统、监测预警决策平台、预警设施设备及群测群防等5个方面。建成之后,有效增多预警方式、全面提升监测预警时效性,实现洪涝灾害监测防御一体化,为双阳区的洪涝灾害防御提供全面的技术基础支撑。     

地基基础与上部结构动力共同作用研究进展

阐述了地基基础与上部结构动力共同作用问题的提出背景、研究和发展现状以及地基与上部结构的动力特性,介绍了一般的研究动力共同作用的理论分析方法以及研究难点,得出了结论,以指导结构设计。     

铜绿假单胞菌发酵产鼠李糖脂生物表面活性剂的方式及条件研究

该文综述了铜绿假单胞菌（Pseudomonas aeruginosa）生成鼠李糖脂的相关发酵技术的研究概况,包括液态发酵、半固态发酵和固态发酵等。重点介绍了影响液态发酵的相关因素,如碳源、氮源、无机盐、温度、pH、消泡方法及分批补料发酵等的研究现状,以期为今后利用铜绿假单胞菌发酵生产鼠李糖脂生物表面活性剂提供研究思路和技术参考。     

清代隶书创新的两种倾向

清代隶书在书法史上可谓继两汉隶书之后的又一座高峰。郑簠、金农、邓石如,伊秉绶、陈鸿寿无疑是清代隶书最杰出的代表人物。然而他们的创新却大相径庭,郑簠、金农、邓石如主要是在传统汉隶的基础上,更加注重用笔,强化了线条的形态,是清代隶书创新的主流。相反,伊秉绶、陈鸿寿更倾向于汉字的空间安排,类似现在所倡导的形式构成,而不以线条的形态为主,虽不是清代隶书创新的主流,却对当今隶书创作具有重要的启示意义。     

硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出 薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好.