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1.
硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究   总被引:14,自引:3,他引:11  
刘玉岭  刘钠  曹阳 《稀有金属》1999,23(2):85-89
提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理。  相似文献   
2.
硅片抛光雾的分析研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
刘玉岭  刘钠 《半导体技术》1998,23(1):50-51,54
通过试验分析了抛光雾产生的机理和影响因素。在试验的基础上,优化选择了抛光工艺技术,有效地控制了抛光雾,取得较好的结果。  相似文献   
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