用离子注入~(31)P~+制造光掩模

本文报道一种 LSI掩模制作方法.将剂量为 3 ×10~(15)离子/cm~2的~(31)P~+,用高于 120kV的能量,35-50μA/cm~2的束流密度,注入到涂在玻璃衬底上的 AZ1350光刻胶层中.胶层厚度<4000A|°,且上面制作了IC或LSI的集成电路图形.被注入的胶层完全被硬化,形成明暗反差,暗区能掩蔽紫外光.膜的耐磨度和化学性能可与铬或氧化铬比美.特别是具有低反射、制造工艺简单等优点,是一种有前途的光掩模.     

消除建筑楼(地)面工程质量通病的技术措施

就一些影响建筑楼(地)面工程质量的重点环节,提出了消除质量通病,提高工程质量的技术措施。     

喷气纺纱喷头设计与机械加工的探讨

喷气纺纱的成纱结构新颖,条干均匀,产量高,适纺支数范围广,机械部件少,且无高速回转部件,是一种很有前途的新型纺纱方法。但就目前尚存在着统一性、稳定性和持久性的问题,为扩大试验,带来了一定的困难。此外它还有个要害问     

投影曝光中图形的衍射花样

随着集成电路在几个平方毫米芯片内的集成度规模不断提高,图形的设计尺寸也越来越小.对于传统的投影曝光系统,欲保证曝光图形的保真度也越来越困难.这是因为图形失真的重要因素是光的衍射.