GaAs MESFET低频噪声机理的研究

<正> GaAs MESFET器件的低频噪声是该器件一项重要的电特性,研究它的产生机理对器件微波非线性和从直流到微波超宽带等方面的应用,以及了解器件内部深能级均非常重要。 GaAs MESFET低频噪声研究在国内尚未见到有关文献报道。在建立了GaAs MESFET低频噪声测量系统的基础上,作者对南京电子器件研究所研制生产的各种GaAs MESFET样管及HEMT器件进行了测量。这些器件的低频噪声具有以下特点:(1)器件低频噪声同器件的偏置状态和几何参数有关,其等效输入噪声电压随源—漏电流和栅偏电压绝对值的增加而增大,但随栅长和栅宽的增加而减小。并发现功率器件噪声较低。(2)GaAs MESFET低频噪声比Si器件大。(3)一般器件的低频噪声谱呈1/f~μ关系,其中α=11;而GaAs MESFET的α在0.5～2之间。(4)HEMT器件的低频噪声同GaAs器件相比稍大。     

鳍状线微波固态噪声源

<正>微波固态噪声源是近年来发展起来的一种噪声源,具有开关迅速、稳定、体积小、长寿命等一系列优点.已在遥感、微波辐射计、噪声测量、雷达整机性能的自动监测等方面获得广泛应用.     

GaAs MESFET器件低频噪声机理的实验研究

本文介绍了GaAs MESFET器件低频噪声测量系统,以及该器件低频噪声的特点。在分析器件中低频噪声可能来源的基础上,首次采用高能电子辐照技术并结合变温噪声测量、变频C-V等方法,对器件低频噪声产生机理进行了实验研究。     

GaAs MESFET器件低频噪声机理研究

本文报道了对各种GaAs MESFET和HEMT器件的低频噪声测量和讨论,认为这些器件低频噪声具有以下特点:(1)GaAs MESFET器件低频噪声随器件源、漏电流、负栅压绝对值增大而增大。(2)GaAs MESFET低频噪声一般比硅器件噪声大2～3个数量级。(3)GaAs MESFET低频噪声不是纯1/f噪声,其噪声谱与频率成1/f~a关系,d值在0.5～2之间。 作者首次将高能电子辐照技术用于研究GaAs MESFET器件的低频噪声。通过对辐照前后器件变温噪声测量,并结合DLTS技术和变频C—V等方法,对器件低频噪声产生机理进行了实验探讨。认为GaAs MESFET的低频噪声主要是器件体内深能级陷阱的产生—复合噪声。器件表面特性、结特性对器件低频噪声有影响,但不是主要来源。 作者认为,对短沟道GaAs MESFET器件而言,速度饱和效应对共低频噪声有影响。因而从基本二维泊松方程出发,计入速度饱和区产生—复合噪声对器件低频噪声的贡献,首次得到了正常工作(高源、漏电压)条件下,器件低频噪声的理论计算模型,理论和实验吻合较好。