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用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工 总被引:2,自引:2,他引:0
为利于与微电子加工工艺相结合,基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。在温度(20℃)、相对湿度(30%)和氧气浓度(20%)基本保持不变的情况下,在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5μm长的Ti氧化线,研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用,在偏置电压8V和扫描速度0.1μm/s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线。 相似文献
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在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiO x作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15.6,34.2和46.9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线. 相似文献
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