MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析

叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~+-n结构的DLTS结果相同。     

直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究

本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.     

用水平法制备高纯砷化镓单晶的几个问题

近来,砷化镓微波功率源器件多半采用外延材料作有源区。在国内,期望能作限累器件的体单晶工作仍在开展。努力的重点集中于进一步提高材料的纯度、温度性能、以及均匀性等几个方面,以期达到能与外延材料有相似或更高的水准。遵循毛主席“三线建设要抓紧”的伟大方针,几年来在党组织领导下,在兄弟单位的大力支持下,我们小组在这方面做了一些试验。这里对近来所经历到的某些实验现象作     

不均匀半导体中的高表观迁移率

半导体中各种不均匀性对迁移率的影响在理论上已有不同深度的认识。尤里斯克处理过导体中不导电腔的影响,克劳福特讨论过半导体中由快中子辐照引进的畸变区的作用;白梯查明了电导率梯度及不连续性的影响;魏斯贝格研究过局部不均匀区周围的空间电荷区对载流子的散射。     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs LOC激光器中的深能级

本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法,测量了A1_xGa_(1-x)As/GaAs LOC(Large Optical Cavity)激光器中的深中心,并初步分析了这些深中心与Al含量的关系,以及对器件退化的影响。     

用AES/XPS对异质结材料的研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法（ＰＬ）测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系     

关于石英舟的镓处理

在水平舟生长砷化镓单晶制备过程中,熔体与舟之间沾结是首先碰到的一个问题。尽管对石英舟表面作喷砂处理可以改善这一状况,然而并未能够彻底解决。在砷化镓的熔点温度下,如熔体浸润石英就会造成两者之间的粘结。在凝固后的冷却过程中,因两者热膨胀系数的差异,经常致使舟的破碎和锭条断裂。此外,更为严     

掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布

测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。