硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2 h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70 eV。     

环境空气质量监测中开放光程监测仪和点式监测仪差异性研究

比较2013年全年两种监测仪器的同步监测数据，分析采用不同监测仪器后对该点位空气质量评价结果的影响。研究结果表明，两种监测仪器相关性较好，不存在系统偏差，选用任意一种临测仪都不会对整体空气质量评价产生较大影响。     

气相法制备ZnS薄膜材料研究进展

综述了近几年ZnS薄膜材料的气相沉积制备方法及其应用,主要讨论了真空蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积等制备方法的最新研究进展,指出了ZnS薄膜的各种气相沉积方法的优点和不足以及今后的发展趋势。     

硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2 h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70 eV。     

构建完善的水质自动监测质控体系

水质自动监测数据中经常会出现异常值,有些是仪器故障造成,而有的则是水质污染事件造成的。在常规的质控体系下,主要依据数据之间的关联和变化时间段来判断这些异常值的变化原因。通过在福州市原厝水质自动监测站新增自动质控等措施构建完善的质控体系,使每个监测数据都具有可朔源性和质量保证,为判断数据有效性提供技术支撑。