冰冻海鲜“冰衣”难脱 一斤虾半斤冰

正前两天从超市买了一袋冰冻熟虾准备炒菜,没想到包裹的冰块太厚了!"消费者李女士称,化冻后称重发现,本来外包装上写的一斤的虾,实际净重也就五两多,近半斤都是冰。记者走访发现,进入冬季休渔期后,水产市场上已难觅新鲜的海鲜,冰冻海鲜唱起主角。但冻鱼、冻虾穿着厚厚的"冰衣"销售,俨然成为行业潜规则。     

基于FPGA的ASIC芯片抗辐射性能评估系统

针对航天电子控制系统对集成电路的抗辐射需求,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的全新架构的专用集成电路(ASIC)抗辐射性能评估系统。该系统基于FPGA高性能、高速度、高灵活性和大容量的特性,不仅具备传统芯片评估系统的能力,还具备精确判定失效事件发生时刻、被测ASIC时序、内部状态及大致的内部路径位置的能力。对该系统进行单粒子翻转(SEU)辐射试验,试验结果表明,在81.4 MeV·cm²·mg^-1的线性能量转移阈值下,该系统能自动判别没有发生SEU事件。目前,该系统已成功应用于自研高可靠性ASIC芯片抗辐射性能的评估。     

基于130nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计

基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库.研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计.提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置.对双互锁存储单元(DICE)加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比.测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV ·cm2 ·mg_1的线性能量转移(LET)阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm2·mg_1和99.8 MeV·cm2·mg_1两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁.结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计(RHBD)可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力.     

软土动剪切模量与微观孔隙结构试验研究

 为了从土体微观结构的角度定量地研究动剪切模量的性质和变化,利用共振柱试验,并借助电子显微镜及微观孔隙结构分析手段,对粤东重塑软黏土动剪切模量随动剪应变衰减规律与宏微观条件下土颗粒孔隙特性的关系进行分析。根据基于Davidenkov三参数模型的非线性回归分析和微观孔隙结构的参数计算分析,得到随固结应力增加,最大动剪切模量增大,连续介质中机械波波速增强;土体的宏观孔隙比降低;孔隙的层次增加,孔隙周长–面积分形维度值增加;孔隙的均一化程度增加,孔隙分形维度值减小。研究表明,Davidenkov模型中的初始参数、范围参数及速率参数与微观孔隙结构参数存在对应关系,为软黏土动力特性与微观结构关系的理论研究提供依据。     

透过地标建筑揭示文化本质

地标建筑是城市的一张名片,文章从文化的角度,对地标建筑进行解析。     

彭水水电站500 t级垂直升船机总体布置

彭水水电站通航建筑物由一级船闸和一级垂直升船机组成.升船机布置在下游,最大通航水头66.6 m,通过中间渠道与上游的船闸连接,船闸最大通航水头15 m,二者联合运转,可克服枢纽81.6 m的最大通航水头.升船机采用钢丝绳卷扬全平衡垂直提升型式.船舶过坝时,通过上、下闸首驶入钢质承船厢内.承船厢由多根钢丝绳悬吊,通过设于承重塔柱顶部机房内的主提升机驱动,使之沿承重塔柱导轨垂直升降运行,运送船只过坝.全面介绍了彭水水电站500 t级垂直升船机的总体布置与设计特点,并对升船机主体设备、金属结构以及电气设备等的设计作了简要论述.     

高转速透平压缩机基础设计分析

本文详尽地叙述了旋转机器基础，特别是高转速机器基础设计的基本原理，并对其在设计过程中应注意的问题进行论述。阐明在各项不利因素影响中，设计时应掌握预控，预防的方法和措施，使设计人员更深一步了解现行《动力机器基础设计规范》所规定的有关要求。     

地震动作用下浅埋隧道非对称塌落机制研究

基于岩体Hoek-Brown破坏准则,结合极限分析法的上限定理和待定边界变分法,提出浅埋隧道上覆岩体在地震动作用下非对称塌落曲线的解析解,同时开展地震体波和岩体参数对非对称塌落曲线影响研究。结果显示：在不考虑岩体损伤的情况下,S波会使岩块的几何形状发生倾斜,并有利于抑制岩块的塌落且在力学性能较好的岩体上抑制作用更显著;而P波在传播方向与重力方向一致时会促进岩块塌落,且使塌落岩块的几何面积变小。表明在地震动作用下,更小范围的机动许可速度场就能导致岩体达到极限破坏状态。研究成果对隧道工程的安全设计和施工具有一定的指导意义。     

免疫电镜技术在微波辐射致大鼠海马突触结构损伤研究中的应用

目的:通过免疫电镜技术的应用,探讨微波辐射致大鼠海马突触结构损伤的机制。方法:采用30mW/cm2微波辐射Wistar大鼠,通过电镜观察辐射后6h海马突触结构改变;采用不同实验条件摸索胶体金标记的免疫电镜染色方法,并检测磷酸化突触素I和囊泡氨基酸递质转运体的改变。结果:30mW/cm2微波辐射后大鼠海马突触前囊泡堆积,活性区延长、突触后致密物增加、突触曲率增加,GABA囊泡转运体和磷酸化突触素I(Ser-553)在海马堆积囊泡中表达增加。结论:胶体金标记的免疫电镜染色操作过程中,固定液中戊二醛浓度和处理时间对其结果影响至关重要;微波辐射可引起突触结构损伤,Ser-553位点突触素I磷酸化参与微波辐射所致GABA能囊泡的堆积。     

一种用于片上静电保护的超低电压触发晶闸管

本文报告了一种用于静电保护的新型晶闸管。该器件已经在晶圆代工厂的0.18微米CMOS工艺线上成功实现,且无需增加任何额外的光罩或工艺步骤。这一新型的超低电压触发晶闸管的触发电压低至6.7V,静电保护能力超过50mA/μm,为芯片提供了有效的静电保护。相比于传统的中等电压触发晶闸管,这一新结构不仅具有更低的触发电压,而且在正向和反向两种静电测试下均具有更好的静电保护能力。