SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析

针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的影响,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计.     

新型SON器件的自加热效应

分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较．提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度．还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导．     

SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析

针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计 .     

新型SON器件的自加热效应

分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导.     

纳米集成电路大生产中新工艺技术现状及发展趋势

近年来微纳电子科学和集成电路产业的发展,证明了有效30多年的摩尔定律未来正在受到挑战.在传统的集成电路技术发展似乎走到技术尽头的时候,依靠新材料和新结构的技术发展,摩尔定律才能继续显示其有效性.但是技术发展的步伐呈现减缓的趋势.在进入21世纪后,各种新器件材料的引进以及各种新器件结构的陆续推出,给世界集成电路产业带来了诸多机遇和挑战.本文总结分析了微纳电子产业技术主流发展趋势,包括:新材料新工艺应用、先进CMOS制造工艺集成技术、3D系统芯片封装技术、新型存储器技术、新型逻辑器件的产业化技术,并且介绍了国内先进集成电路产业技术的研发现状,包括近年来取得的一些生产技术研发成果.文中提出了一些纳米集成电路生产工艺技术发展中的主要挑战和应对建议,并针对国内集成电路科技和产业发展提出了一些看法.     

抑制 SOIp- MOSFET中短沟道效应的 GeSi源 /漏结构

提出在 SOI p- MOSFET中采用 Ge Si源 /漏结构 ,以抑制短沟道效应 .研究了在源、漏或源与漏同时采用 Ge Si材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低 (DIBL)效应的影响 ,并讨论了 Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响 .研究表明 Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择 .对得到的结果文中给出了相应的物理解释 .随着器件尺寸的不断缩小 ,Ge Si源 /漏结构不失为 p沟 MOS器件的一种良好选择     

GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's

提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构,以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(DIBL)效应的影响,并讨论了Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响．研究表明Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择．对得到的结果文中给出了相应的物理解释．随着器件尺寸的不断缩小,GeSi源／漏结构不失为p沟MOS器件的一种良好选择。