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溶胶—凝胶方法制备KTa0.65Nb0.35O3薄膜的凝胶化和热处理研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文较系统地研究了溶胶-凝胶方法制备KTa0.65Nb0.35O3薄膜的凝胶化行为和热处理。用自制的金属醇盐KOC2H5、Nb(OC2H5)5和Ta(OC2H5)5为原料,无水乙醇作溶剂,配制均匀的溶液。实验结果表明,溶液浓度、介质或催化剂的使用、匀胶时的环境温度和湿度及单层膜厚等因素凝胶薄膜的形成有较大影响。条件适宜时可得到与衬底附着紧固的均匀透明的凝胶薄膜。随着热处理温度升高,薄膜首先从非晶态 相似文献
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用水热法合成了β-Ni(OH)2单晶纳米薄片,并用透射电子显微镜观察其显微结构.发现这些纳米薄片呈六边形,横向尺寸45 nm~140 nm,厚度20 nm~50 nm.六边形纳米片的上下表面是(001),六个侧面可确定为(100),((1)10)或(0(1)0),紧邻侧面夹角120°.六角结构的β-Ni(OH)2呈六边形时系统能量最低.β-Ni(OH)2纳米薄片经500 ℃热分解即转化为NiO单晶纳米卷、纳米槽和纳米片.NiO纳米结构的外缘尺寸为25 nm~120 nm,纳米卷内空尺寸10 nm~24 nm,纳米槽凹坑尺寸10 nm~20 nm.β-Ni(OH)2纳米薄片中可能存在缺陷、微孔或结晶较差的区域,这些区域的热分解速率快,有利于形成NiO纳米卷. 相似文献
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在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 总被引:1,自引:0,他引:1
有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究,而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道。研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义。本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN(760nm)/GaN(245nm)/AlN(14nm)薄膜中的穿透位错和极性。 相似文献
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在钙钛矿型氧化物外延薄膜中 ,人们已观察到柏格斯矢量b =[10 0 ]的刃型失配位错 ,伴随 (0 0 1)层错b =(1 2 )〈10 1〉的不全失配位错。最近 ,我们用TEM研究了生长在 (0 0 1)LaAlO3 上Ba0 3 Sr0 7TiO3(BSTO)外延薄膜中的缺陷结构。在薄膜的近界面层观察到了高密度的穿透位错 ,其中大部分穿透位错是与 (1 2 )〈10 1〉层错相伴的不全位错[1,2 ] 。本文介绍在该薄膜中观察到的一种新型的分裂失配位错 ,如图 1所示。靠近BSTO LaAlO3 界面有四个被标为 1 4的不全位错和一被标为 5的螺位错。不全位错 2和 3间夹层错的位移矢量是 (1 2 )… 相似文献
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对通过Sol-gel工艺制备的PbTiO3薄膜在Ar^+溅射前后作了XPS全扫描和窄扫描测量,结果表明,除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外,薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在,薄膜的元素组成与化学计量比一致,薄膜表面无富集Pb。各元素的化学状态证实薄膜系PbTiO3钙钛矿型结构,Ar^+溅射引起Pb择优溅射和化合物分解,以致Ar^+溅射后薄膜表面元素组成与化学状态严重偏离薄膜体内层的真实 相似文献
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用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜.X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向.透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180 nm和320 nm.BNdT薄膜分为上下两层,厚约100 nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向.讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制. 相似文献