硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析

在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。     

单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究

为提升InGaN基可见光探测器性能,制作并测试了基于GaN/InGaN MQWs外延材料的单边凹槽叉指电极MSM结构蓝光光电二极管。凹槽电极器件的I-V特性测试结果显示,相较于传统平面电极器件,随着偏压增加,器件暗电流越小且越趋于平缓,而光电流越大;光谱响应率测试显示,器件截止带边都位于490nm附近,凹槽电极器件带边处拒绝比高于平面电极器件1个量级。当偏压为5V时,凹槽电极器件响应率为0.0346A/W@480nm,对应外量子效率为8.94%,高于平面电极器件。器件性能提升的原因是单边凹槽电极结构有效改善了内建电场的分布,从而抑制了表面传导漏电流,使得器件暗电流更小且更有利于电极收集光生载流子,提升了响应率。     

氮化铝薄膜的光学性质

采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜.用X射线衍射仪分析了薄膜结构.利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对AIN薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线.在波长为250～1 000 nm,薄膜的折射率为1.87～2.20.结合透射光谱图,分析了AIN薄膜的光学性质.结果表明:利用磁控溅射方法可以获得(100)择优取向AIN薄膜;AIN薄膜在200～300 nm远紫外光范围内具有强烈的吸收,在300～1000 nm波长范围内具有良好的透过率.透射光谱图计算得到的薄膜厚度(427nm)与椭圆偏振拟合得到的薄膜厚度(425nm)一致.     

稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用

介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。     

Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。     

信息化背景下融合式教学模式在“电子线路CAD”课程教学中的研究与实践

文章针对当前"电子线路CAD"课程传统的教学模式所存在的问题,提出了以信息技术为支撑的"融合式"教学模式设计,通过"线上+线下"的优势互补和无缝衔接来实现整体的教学效果,提高学生的综合能力。     

氮化铝薄膜光学常数和结合力测试分析

用直流磁控溅射方法在硅衬底上制备氮化铝薄膜。X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构和成分;椭圆偏振仪测量并拟合获得AlN薄膜在250～1000nm波长范围内的折射率和消光系数曲线;利用大荷载划痕仪的声发射谱检测方法并结合不同压力下的划痕显微形貌观察得到薄膜临界载荷(结合力)L为29.45N。     

直流高压LEDs的电极桥接方式对其性能的影响

本文通过改变电极桥的桥接工艺,将6个LED芯粒串联,制备了两种直流高压LEDs样品,对其进行电学性能和光学性能测试,结果表明,在注入电流相同的工作条件下,采用空气桥作为电极桥桥接方式的高压LEDs的工作电压要低于传统的电极桥直接覆盖在绝缘层上的高压LEDs的工作电压,前者的相对发光强度也要高于后者。     

一种塑料袋制造全流程智能柔性生产控制系统

不同规格塑料袋在同一条全流程生产线制造过程中,每个生产环节的协调控制对于产品的品质和系统稳定运行有着决定性的作用.针对全自动吹膜、印刷和制袋过程中需要的复杂控制手段,提出了一套柔性控制系统司南智能控制系统.此系统的上位机用于管理塑料袋生产的详细参数、全部生产流程和设备运行逻辑;系统的下位机用于完成设备基本运行动作和快速...