SET/CMOS混合器件研究

阐述了纳米线和纳米管电子器件的研究状况,对两种SET/CMOS基本混合器件的结构和应用以及仿真实现方法进行了论述。总结了SET/CMOS混合器件的特点。对纳米电子器件的发展进行了展望。     

一种SETMOS二阶带通滤波器设计实现

单电子晶体管（SET）作为一种纳电子器件有着较大的优势,将SET与纳米MOS混合构成的器件（SETMOS）是目前研究的热点之一。SETMOS作为一种新的混合器件,在结合了两者优点的同时,具有与SET一样的库仑振荡特性和MOS高增益等特性。文章基于一种sETM0s混合结构的电压电流特性的数学模型,设计并实现了一种SETMOS二阶带通滤波器,阐述了这种SETMOS带通滤波器的结构、工作条件、性能、参数和特点,并用PSpice对其传输特性进行了仿真验证,结果证明,SETMOS在其通带范围内具有良好的带通幅频特性,且具有低电压、低功耗和高频的特点。     

一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析

本文基于一种单电子晶体管数学模型（改进的MIB模型），实现其SPICE宏模型。提出一种改进型SET／CMOS混合器件模型，并用SPICE对其I-V特性进行了仿真验证，仿真结果证实了电流与电压具有线性关系。此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用。