半定制MCM基板设计专利简介

美国Microelectronics and Computer Technology Corporation(MCC)最近获得一项半定制MCM基板设计技术美国专利。被称为“快周期互连”(QTAI)的该专利技术具有加快MCM生产周期，降低成本的特点。     

加厚型厚膜铜、银导体在功率电路中的应用

国外一些厂家近年来相继研制开发出各种适合那些对于印制，热导率，电特性，丝焊的焊接特性均有苛刻要求的功率电路用加厚型厚膜铜，银导体。按照功率电路的热控制要求，烧结后的导体膜厚度应大于150μm，而且一般的需要印制在大块面积上，在某些设计中，专供粘焊裸芯片用的组装焊盘的厚度还要求局部性的增大。新的加厚型厚膜技术能在一块基板上同时做到使信号控制部分的导体更薄，电路密度更高和使组装功率器件用的焊盘更厚以便于散热。本文介绍适合功率电路应用的加厚铜，银导体在性能优化方面的研究情况，例如各类加厚型厚膜导体材料的特性，工艺和主要工艺参数。     

软开关高功率密度DC／DC变换器发展动态

本文介绍了世界开关电源市场中DC/DC变换器向高功率密度化发展的主要趋势及世界市场对高功率密度DC/DC产品的需求现况。软开关DC/DC产品的问世标志着第一代PWM高功率密度DC/DC变换器将完成其历史使命;被称为第二代高功率密度DC/DC变换器的软开关DC/DC将成为未来的主流产品。本文还介绍了软开关DC/DC的代表性产品,美国Vicor开关电源公司的VI-300系列DC/DC变换器的主要特点。     

金刚石基板多芯片功率组件用SiC功率芯片封装

高温电子封装需要功率开关器件、元源元件及材料均能经受高达30012的工作环境温度。以往情况下，传统硅基电子器件在工作温度高于150℃时其电性能就会出现欠缺。90年代初，出现一种市售绝缘体上硅技术(即HTMOS^TM)，该技术可使器件达到至少5年、225℃的工作寿命以及300℃、少于5年的工作寿命。除了碳化硅(SiC)之外，在技术水平上之后再未出现过能经受超过300℃工作环境温度的其它别的功率器件材料。尽管SiC功率器件仍未达到商品化的程度，但十分明显，SiC技术对需要在高温环境下工作的功率电子封装设计策略将会产生影响。     

世界DC／DC模块电源的发展趋势

世界DC/DC模块电源在今后3-5年内估计将以平均年增长率2位数字的速度增长，目前全球DC/DC模块电源的市场规模巳达到44.1亿美元。推动该市场发展的主要动力仍然是对分布式供电系统的不断推广应用。应用市场仍然是IT产业、通信产业、工业、仪器仪表及军用、航空、航天产业。本文介绍了世界DC/DC模块电源的市场发展情况及当今世界DC/DC模块电源技术的热点和未来发展趋势。     

功率电路中加厚型厚膜铜、银导体的应用

欧美国家近年来相继研制开发出了各种适合那些对于印刷、热导率、电特性、丝焊和焊接特性均有苛刻要求的功率电路用加厚型厚膜铜、银导体。按照功率电路热控制要求,烧后导体膜厚度应大于150μm,而且一般均需要印刷在大块面积上。在某些设计中,专供粘焊裸芯片用的组装焊盘的厚度还要求局部性地增大,新的加厚型厚膜技术能在一块基板上同时做到信号控制部分的导体更薄,电路密度更高和使组装功率器件用的焊盘更厚以便于散热,本文叙述了对适合功率电路应用的加厚铜、银导体在性能优化方面的研究情况,例举各类加厚型厚膜导体材料的特性、工艺指南和主要工艺参数。     

LTCC技术展望及发展瓶颈

自上世纪60年代起，陶瓷技术在电子装置微型化过程中一直扮演着重要的角色。陶瓷基板的诸多优点使得它们在恶劣环境中应用、大功率应用以及超高频应用中远远胜过其他基板技术。从现在看，陶瓷是一种仍在不断发展的成熟技术。尤其是近年来，多层陶瓷技术有极大的发展，低温共烧陶瓷技术（LTCC）的发展尤为突出。诸多新材料得到了开发，技术成果有扩展LTCC叠层的各种介质特性；利用零收缩工艺带来的益处；生产高质量的导体图形；供液冷使用的精确结构；先进的冷却及精确的光器件匹配。与LTCC基板的三维设计相关的各种挑战是限制LTCC推广应用的瓶颈之一。另外一个限制因素便是成本偏高。本文阐述了与聚合物基印制电路板、硅技术等主流技术相比，多层LTCC技术的发展前景及瓶颈问题。