短沟道MOS器件工艺

硅平面工艺问世以来,芯片中的元件数以每年递增一倍的速度增长着。现在MOS集成电路继续向封装密度高、工作速度快的方向发展,这就要求电路中的MOST(金属氧化物晶体管)尺寸更加微型化。但是采用常规长沟道MOST工艺来制造短沟道MOST会出现一些问题。首先是沟道长度受到工艺精度,例如光刻、腐蚀等精度的限制,沟道长度不易控制。更主要的是会产生“短沟道效应”,即缩短MOST的沟长会引起耐压和阈压下降。短沟道MOST工艺就是要做到,既能缩短MOST的沟长,又能避免或减弱短沟道效应的影响,使得阈压的变化和耐压的下降都很小。本文主要讨论短沟道MOS工艺的基本过程及其特点,介绍目前已达到的短沟道MOS器件的参数。